技术成熟：端侧大模型（如通义千问、文心一言）与轻量化AR显示方案的融合，使AI眼镜兼具多模态交互与全天候佩戴特性；

巨头竞逐：阿里、华为、小米、百度、腾讯、360等国内头部厂商密集发布新品，周鸿祎更在互联网大会强调“显示功能是AI眼镜差异化关键”；

场景拓展：从实时翻译、会议纪要等办公场景，到运动健康监测、工业巡检等垂直领域，AI眼镜正成为下一代通用智能终端。

然而，硬件端仍面临严峻挑战：

空间极限：眼镜腿内部需集成电源、显示、通信等模块，元件厚度需压缩至0.8mm以下；

功耗瓶颈：7天待机要求传感器漏电流

高频需求：Micro OLED驱动需支持120Hz刷新率，Wi-Fi 6E射频控制需60%损耗削减。

VBsemi：为AI眼镜量身定制功率解决方案

针对上述挑战，VBsemi依托芯片级封装与超低功耗架构技术，推出覆盖AI眼镜全模块的MOSFET产品矩阵，助力厂商突破硬件极限：

智能眼镜模块分析推荐

推荐型号：

VBQF1306（30V / 5.2mΩ）

应用场景：Buck/Boost转换器，适用于主电源变换电路

特点说明：

支持高达1MHz高频开关频率，提升效率同时缩小电感尺寸，适配AI眼镜轻薄化需求

栅极电荷（Qg）低至8nC，显著降低开关损耗

静态功耗较2024年主流产品下降37%，延长续航

优势总结：高效能、高频、低功耗，是AI眼镜主电源转换的首选

VBGQA1602（60V / 2mΩ）

应用场景：电池保护与充放电管理电路

特点说明：

内置反向电流阻断功能，防止电池倒灌损坏系统

支持过流、过压保护，提升系统可靠性

适用于Type-C快充与无线充电场景

封装优势：DFN5*6封装，适用于高功率密度设计

技术亮点：

VBsemi的DFN8(3x3)系列（如VBQF1306），厚度仅0.8mm，适配眼镜腿内部空间受限的结构设计。

推荐型号：

VBQF1202（20V / 3mΩ）

应用场景：Micro OLED显示屏的行驱动电路

特点说明：

支持120Hz刷新率，延迟

工作电压适配3.3V，满足硅基OLED功耗需求

有效避免屏幕残影与拖影现象

封装形式：TSSOP，便于高密度布线

VBGQA1602（60V / 2mΩ）

应用场景：背光PWM调光控制

特点说明：

支持0.1%~100%无级调光，解决PWM频闪问题

提升用户视觉舒适度，尤其适用于户外强光环境

适用屏幕类型：OLED、LCoS等多种显示方案

场景适配建议：

若采用LCoS方案，建议搭配VBsemi的VBHM系列（高压40V），支持动态光圈调节与亮度补偿，提升图像清晰度。

3.传感器与通信模块

推荐型号：

VBQA1401（12V / 0.8mΩ）

应用场景：传感器负载开关控制

特点说明：

漏电流

支持多路传感器电源控制，如摄像头、加速度计等

集成软启动功能，防止上电冲击损坏摄像头模组

适用芯片：适用于AI眼镜中多传感器融合管理需求

VBGQF1101N（SGT MOSFET / 100V）

应用场景：Wi-Fi 6E/毫米波射频功放控制

特点说明：

开关损耗比传统硅基MOSFET低60%，提升射频模块能效

支持高频率通信（6GHz以上），保障AI眼镜的实时通信与远程控制

优势总结：适用于高带宽、低延迟的无线通信系统

4.音频模块

推荐型号：

VB1695（Trench结构 / 50V）

应用场景：骨传导扬声器驱动电路

特点说明：

THD（总谐波失真）

支持20kHz超高频响应，满足高清音频传输需求

输入电容Ciss仅350pF，降低语音识别延迟

AI眼镜充电仓模块分析推荐

一、核心功率模块：至少需 6-8颗 MOSFET

无线充电全桥电路（4颗）

无线充电采用电磁感应原理，需由4颗MOSFET组成H桥拓扑，驱动线圈产生交变磁场。

参考华为80W超级无线充电器设计，其无线充电管理模块明确使用4颗MOSFET控制线圈电流。

磁吸触点充放电管理（2-4颗）

磁吸触点需独立控制充放电通路：

基础方案：2颗MOSFET（1颗充电控制+1颗放电控制），背靠背串联防止电流倒灌。

增强方案：4颗MOSFET（双N沟道组合），提升大电流承载能力与散热效率，适用于快充场景。

推荐型号：

VBGQA1602（60V / 2mΩ）

应用场景：充电仓主功率MOSFET

特点说明：

支持Type-C与无线快充协议，适配主流充电标准

内置反向电流阻断功能，保护电池与主控板

系统优势：高效率、高可靠性，适用于多设备同时充电

二、辅助电路模块：约 2-3颗 MOSFET

同步升压/降压转换（1-2颗）

为匹配眼镜电池电压，充电仓需DC-DC变换电路。例如：

80W无线充的同步升压模块使用2颗MOSFET。

低功率场景可能仅需1颗MOSFET配合电感。

输入保护与路径管理（1颗）

用于USB-C接口的输入过压/过流保护，通常配置1颗MOSFET作为开关管。

VBQF1306（30V / 5.2mΩ）

应用场景：充电仓电源管理DC-DC转换器

特点说明：

高频开关设计，减少电感尺寸，节省空间

适用于充电仓内部多路电源管理方案

封装优势：DFN3x3小型封装，适配充电仓紧凑结构

AI眼镜MOSFET选型策略

电源管理模块推荐型号：VBQF1306、VBGQA1602 主要特点：高效、低功耗、高频、集成保护

显示驱动模块推荐型号：VBQF1202、VBGQA1602 主要特点：低延迟、支持高刷新率与无频闪调光

音频驱动模块推荐型号：VB1695 主要特点：低失真、高保真、低延迟

随着AI眼镜成为各大互联网厂商竞相布局的核心终端，其硬件设计的精细化和集成化要求日益提高。VBsemi凭借其在功率MOSFET领域的深厚积累，提供一系列适用于AI眼镜各功能模块的高性能、高集成度产品，助力厂商打造更轻薄、更智能、更高效的下一代AI穿戴设备。