化合物半导体技术论坛召开，Micro LED与SiC共绘AR眼镜量产蓝图

上述文章介绍了AR眼镜技术创新发展论坛的

10月15日，由行家说Display与行家说三代半联合主办的“化合物半导体（SiC/Micro LED）赋能AR眼镜技术创新发展论坛”在深圳圆满落幕。这场汇聚全球AR产业菁英的盛会，以“技术突破与产业落地”为核心，设置“Micro LED光机及解决方案专场”与“SiC光波导专场及供应链进程”两大主题板块，吸引了Google、华为、OPPO、荣耀、舜宇光电、亮亮视野等近百家终端厂商及投资机构代表参会，现场人次超150人，共探AR眼镜规模化发展的核心密码。 技术攻坚：破解全彩化与降本核心难题

在Micro LED技术专场，“全彩化实现路径”成为热议焦点。行业共识显示，Micro LED红光技术是制约高性能全彩显示的关键瓶颈，当前产业已形成铝镓铟磷、量子点色转换、氮化铟镓基红光三大技术路线。鸿石智能新市场开拓副总经理刘怿透露，公司采用量子点色转换（QDPR）技术，将量子点材料与光刻胶结合，通过半导体光刻工艺实现纳米级精准图案化，其红光亮度可达200万尼特，显著超越部分原生AlGaInP材料芯片。在此基础上，鸿石智能已推出混合堆叠结构和三色合光光机，并坚持8英寸wafer级硅基氮化镓芯片生产工艺，同步推进混合键合技术平台以加速量产进程。

晶湛半导体研发总监张丽旸则从材料端给出突破思路。她指出，AR微小显示的精密性对半导体工艺提出高要求，硅基衬底相较蓝宝石衬底更具优势。目前晶湛半导体已同步推进4寸至12寸多规格硅基衬底及蓝宝石衬底路线，针对波长均匀性控制（人体对波长均匀性敏感度极高，偏差超3纳米即不合格）和小尺寸芯片效率下降等核心挑战，通过外延与工艺双重升级实现性能突破，其开发的300mm大尺寸硅基GaN外延片更为光电芯片与逻辑芯片的混合异构集成奠定基础。

SiC光波导专场同样亮点纷呈。作为实现AR眼镜轻量化的关键，SiC光波导的量产与降本路径备受关注。广纳四维产品市场总监杨智杰表示，公司已将碳化硅刻蚀技术推向产业前沿，依托成熟的半导体刻蚀设备与工艺体系，实现光学器件的芯片级制造，目前多款碳化硅全彩波导已批量交付，并应用于国内外头部AR厂商项目。天科合达则从衬底端发力，其副总经理刘春俊透露，公司已首发8英寸光学级SiC衬底，计划下半年推出12英寸光波导衬底，同时通过激光改质剥离技术研发、与慕德微纳的产业合作及多基地产能布局，构建全链条竞争优势。海目芯微董事长蒋绍毅进一步补充，公司通过提升晶体生长效率与加工精度，结合巨量转移、激光切片等关键设备布局，为SiC光波导提供了可靠的技术降本方案。

值得注意的是，光学量测技术成为保障量产良率的重要支撑。株式会社拓谱光技首席光学专家朱振弦指出，Micro LED微型显示与AR光机面临超低/超高亮度量测、单颗芯片光谱分析、光波导衍射后光谱差异等多重课题。为此，拓谱光技开发了整合PL与EL的表面光谱量测方案，通过高精度高光谱仪实现Demura量测与演算法整合，有效改善显示不均匀问题，为量产良率提升提供关键保障。